随着全球内存市场转向以人工智能（AI）为中心的技术，半导体行业的先驱三星电子正面临重大挑战。

据韩联社报道，该公司作为全球领先内存芯片制造商的三十年统治地位正面临压力，主要是因为其对人工智能加速器的关键组件高带宽内存 (HBM) 日益增长的需求反应较慢。

这家科技巨头在已故董事长李健熙的愿景下，于 1974 年 12 月收购韩国半导体公司，进军半导体行业，并迅速成为行业领导者。1983年，该公司开发出首款 64 千字节 DRAM，为 1992 年业界首款 64 兆位 DRAM 和 1996 年全球首款 1 千兆位 DRAM 等突破性产品铺平了道路。

多年来，三星电子通过2011年推出20纳米（nm）DRAM、2016年推出10纳米级DRAM、以及2022年全球首次量产3纳米代工芯片等创新，保持了主导地位。

这些创新和世界首创使得三星电子在 DRAM 市场占据主导地位长达 30 年。

然而，人工智能革命引发的巨大变化颠覆了传统内存市场，需求从通用 DRAM 转向 HBM 等针对人工智能优化的芯片。

三星电子未能对快速变化的趋势做好准备，在 HBM 方面的投资低于其竞争对手。

SK海力士公司积极投资这项技术，通过向AI加速器领域的主导者Nvidia供应HBM芯片，确保了近乎垄断的地位。

根据最近的市场数据，三星电子在 2024 年第三季度以 41.1% 的份额领先 DRAM 市场，略低于 2022 年底（HBM 市场开放前）的 45.1%。不过，SK 海力士凭借其 HBM 芯片的出色销售，其份额从同期的 27.7% 跃升至 34.4%。

这一市场形势促使三星电子在10月份发布第三季度财报后，对其令人失望的业绩和公司面临的经营危机罕见地公开道歉。

尤金投资证券公司分析师李承宇表示：“HBM 披露的三星电子竞争力减弱情况，损害了其‘技术顶尖’的形象。三星可能需要比预期更长的时间来恢复根本竞争力，但该公司开始谈论问题而不是掩盖问题，这是一个积极变化的开始。”

为了重拾优势，三星电子将重点转向 HBM 开发，旨在缩小与竞争对手的差距。该公司优先向 Nvidia 交付第五代 HBM3E，并计划在明年下半年开始量产第六代 HBM4。

此外，三星电子正在扩大对新兴内存技术的投资，例如对 AI 服务器至关重要的 Compute Express Link、Process-in-Memory 和企业级 SSD。